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STD110N8F6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STD110N8F6	文件：632.6 Kbytes Page：16 Pages	Very low gate charge 文件：632.6 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP110N8F6	文件：557.6 Kbytes Page：13 Pages	Very low on-resistance 文件：557.6 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP110N8F6	文件：317.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：317.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多STD110N8F6供应商更新时间2025-10-4 14:14:00