STD10P6F6中文资料P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD10P6F6规格书详情
描述 Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD10P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-10
- PTOT_max(W)
：35
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST专家 |
23+24 |
DPAK |
59340 |
原装正品,原盘原标,优势库存 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252-3 |
1197 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
DPAK |
11580 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
询价 | ||
STMICRO |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
15000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
60000 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ST/意法原装特价STD10P6F6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 |
