STD10P6F6数据手册ST中文资料规格书
STD10P6F6规格书详情
描述 Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD10P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-10
- PTOT_max(W)
：35
- Qg_typ(nC)
：6.4
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