STD10P6F6中文资料P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD10P6F6规格书详情
描述 Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD10P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-10
- PTOT_max(W)
：35
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ST/意法原装特价STD10P6F6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
21 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
15000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 |
