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STD10P6F6	文件：490.86 Kbytes Page：15 Pages	P-channel 60 V, 0.15 廓 typ., 10 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10P6F6_V01	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	Marking：10P6F6；Package：DPAK；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10P6F6-V01	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：490.86 Kbytes Page：15 Pages	P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.09165 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD10P6F6
功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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