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STD10LN80K5数据手册ST中文资料规格书
STD10LN80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD10LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.63
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
DAPK |
10801 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
DAPK |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
STM |
20+ |
2500 |
TO-252-3 (DPAK) |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-252 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268568邹小姐 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
