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STD10LN80K5中文资料N沟道800 V、0.55 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD10LN80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD10LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.63
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
2511 |
DAPK |
9550 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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ST |
17+ |
TO-252 |
408 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
24+ |
TO-252 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
DAPK |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
DAPK |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
