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STD10N60DM2中文资料N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD10N60DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD10N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.53
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：90
- Qrr_typ(nC)
：225
- Peak Reverse Current_nom(A)
：5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
25000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
12421 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
22+ |
N/A |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
ST |
1704+ |
TO-252 |
2305 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
