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STD10N60DM2中文资料N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD10N60DM2

功能描述

N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-2-2 17:10:00

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STD10N60DM2规格书详情

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STD10N60DM2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.53

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :8

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :15

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :90

  • Qrr_typ(nC)

    :225

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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