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STD11N60DM2中文资料N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD11N60DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD11N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.42
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：16.5
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：90
- Qrr_typ(nC)
：248
- Peak Reverse Current_nom(A)
：5.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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