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STD11NM65N中文资料N沟道650 V、0.425 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书
STD11NM65N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
:STD11NM65N
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.455
- Drain Current (Dc)_max(A)
:11
- PTOT_max(W)
:110
- Qg_typ(nC)
:29
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
1409+ |
TO-252 |
1933 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-252-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |