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STB120N4LF6_ST/意法半导体_MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE华斯顿科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
STB120N4LF6
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市华斯顿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
- 手机:
13925279453
- 询价:
- 电话:
0755-83777708/83777607/82799993
- 传真:
0755-83355559
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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