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STB120N4F6中文资料N沟道40 V、3.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB120N4F6规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STB120N4F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.004
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：65
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO-263 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
198000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 |
