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STB12NM50	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??Power MOSFET with FAST DIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50	文件：115.55 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - D2PAK MDmesh(TM) POWER MOSFET • High dv/dt and avalanche capabilities\n• 100% avalanche tested\n• Low input capacitance and gate charge• Tight process control and high manufacturing yields\n• Low gate input resistance;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50	文件：544.65 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 550V @ tjmax - 0.30廓 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50	文件：1.040069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STB12NM50-1	文件：115.55 Kbytes Page：14 Pages	丝印：B12NM50；Package：I2PAK；N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50FD	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??Power MOSFET with FAST DIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50FD-1	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??Power MOSFET with FAST DIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50FDT4	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh??Power MOSFET with FAST DIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STB12NM50N	文件：510.43 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 500V - 0.29廓 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisrealizedwiththesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
500
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.35
Drain Current (Dc)_max(A)：
12
PTOT_max(W)：
160
Qg_typ(nC)：
28
Reverse Recovery Time_typ(ns)：
350
Peak Reverse Current_nom(A)：
30

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