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STB12NM50ND中文资料N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package数据手册ST规格书
STB12NM50ND规格书详情
描述 Description
The FDmesh II series belongs to the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STB12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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