首页>STB12NM50ND>规格书详情
STB12NM50ND数据手册ST中文资料规格书
STB12NM50ND规格书详情
描述 Description
The FDmesh II series belongs to the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STB12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-263-3 |
8950 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
19+ |
TO-263 |
13997 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263-3 |
9592 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263-3 |
8950 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
505 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
TO-263-2 |
105000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST专家 |
25+23+ |
D2PAK |
29387 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
