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STB15N65M5中文资料N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package数据手册ST规格书
STB15N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
特性 Features
• Extremely low RDS(on)
• Low gate charge and input capacitance
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB15N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.34
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
10235 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
2517+ |
TO263 |
8850 |
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询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
TO263 |
32360 |
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ST |
12+ |
TO-263 |
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STMicroelectronics |
23+ |
TO263 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
5000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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