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STB160N75F3中文资料N沟道75 V、3.2 mOhm典型值、120 A STripFET F3功率MOSFET,D2PAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STB160N75F3

功能描述

N沟道75 V、3.2 mOhm典型值、120 A STripFET F3功率MOSFET,D2PAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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STB160N75F3规格书详情

描述 Description

This N-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of ST’s STripFET™ process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

特性 Features

• Ultra low on-resistance
• 100% Avalanche tested

技术参数

  • 制造商编号

    :STB160N75F3

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :75

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0037

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :120

  • PTOT_max(W)

    :330

  • Qg_typ(nC)

    :85

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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