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STB15NM65N数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号：
STB15NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
TO263 |
16 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
975 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
2511 |
TO-263 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
20+ |
D2PAK |
36900 |
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ST |
21+ |
TO-263 |
12588 |
原装现货价格优势 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
5000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
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