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STB18N60DM2中文资料N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB18N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB18N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.295
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：20
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：125
- Qrr_typ(nC)
：675
- Peak Reverse Current_nom(A)
：11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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ST/意法半导体 |
26+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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