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STB18NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STB18NM60ND
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- 功能描述：
N chan, 600V, 13A, 250 mOhms, D2Pak
- 功能描述：
Single N-Channel 600 V 0.29 Ohm 130 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1058 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
14+ |
TO-263 |
680 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
28343 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
19+ |
SOT263 |
23500 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
SOT263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
