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STB18N65M5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
特性 Features
• Extremely low RDS(on)
• Low gate charge and input capacitance
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB18N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.22
- Drain Current (Dc)_max(A)
：15
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：34
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
24+ |
TO263 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST/意法 |
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