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STB18N65M5	文件：1.02109 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsbasedontheMDmesh™M5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproductsofferextremelylowon-resistance,makingthemparticularlysuitableforapplicationsrequiringhi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB18N65M5	文件：1.02109 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsbasedontheMDmesh™M5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproductsofferextremelylowon-resistance,makingthemparticularlysuitableforapplicationsrequiringhi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB18N65M5	文件：289.17 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD18N65M5	文件：299.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •HigherVDSSrating •Excellentswitchingperformance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD18N65M5	文件：1.02109 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.198廓typ.,15AMDmesh??VPowerMOSFETinD짼PAKandDPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsbasedontheMDmesh™M5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproductsofferextremelylowon-resistance,makingthemparticularlysuitableforapplicationsrequiringhi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF18N65M5	文件：313.65 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF18N65M5	文件：954.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel650V,0.198typ.,15AMDmeshVPowerMOSFETinTO-220FP,IPAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI18N65M5	文件：954.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel650V,0.198typ.,15AMDmeshVPowerMOSFETinTO-220FP,IPAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI18N65M5	文件：333.8 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL18N65M5	文件：1.54071 Mbytes Page：17 Pages	Verylowintrinsiccapacitance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB18N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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