STB19NF20数据手册ST中文资料规格书
STB19NF20规格书详情
描述 Description
These Power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
技术参数
- 制造商编号
：STB19NF20
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO263 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST |
2018+ |
TO-263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
NA |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
4000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SR |
23+ |
DPAK |
6000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
