STB19NF20中文资料N沟道200 V、0.11 Ohm典型值、15 A MESH OVERLAY功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB19NF20规格书详情
描述 Description
These Power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
技术参数
- 制造商编号
：STB19NF20
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂原包 |
24+ |
原装 |
38560 |
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ST/意法半导体 |
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原厂原封可拆样 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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23+ |
TO263 |
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TO263 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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