STB19NF20中文资料N沟道200 V、0.11 Ohm典型值、15 A MESH OVERLAY功率MOSFET,D2PAK封装数据手册ST规格书
STB19NF20规格书详情
描述 Description
These Power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
技术参数
- 制造商编号
:STB19NF20
- 生产厂家
:ST
- Package
:D2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
:11
- PTOT_max(W)
:90
- Qg_typ(nC)
:24
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO263 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
NA |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ST |
11+ |
TO-263 |
13 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
20+ |
D2PAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO263 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
MOSFETN-C |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |