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STB2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rende 文件：1.26101 Mbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB2N62K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET	ST 意法半导体	ST
STD2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rende 文件：1.26101 Mbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2N62K3	文件：1.07827 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.07827 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD2N62K3	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
STB2N62K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 2.2A MOS 3Ohm SuperMESH 3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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