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STU2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU2N62K3	文件：977.2 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N62K3	文件：1.0872 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel620V,3ohm,2.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel620V,3ohm,2.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD2N62K3	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD2N62K3	文件：1.07827 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF2N62K3	文件：1.26101 Mbytes Page：25 Pages	N-channel620V,3ohm,2.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF2N62K3	文件：319.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP2N62K3	文件：1.09042 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STU2N62K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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