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STB18NF30	文件：370.08 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·LLCconverters,resonantconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB18NF30	文件：1.00331 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 330 V, 160 m typ., 18 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STB18NF30

文件：370.08 Kbytes

Page：2 Pages

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·LLCconverters,resonantconverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STB18NF30

文件：1.00331 Mbytes

Page：15 Pages

Automotive-grade N-channel 330 V, 160 m typ., 18 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB18NF30
功能描述：
MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STB18NF30供应商更新时间2025-4-30 18:56:00

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