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IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •High	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTC180N10T	文件：297.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：384.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：210.65 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP180N10T	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ180N10T	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDPL180N10B	文件：1.61424 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NDPL180N10B	文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDPL180N10B	文件：296.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDPL180N10BG	文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STE180N10	文件：85.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL100V-5.5mohm-180A-ISOTOPPOWERMOSFET ■TYPICALRDS(on)=5.5mΩ ■100AVALANCHETESTED ■LOWINTRINSICCAPACITANCE ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDVOLTAGESPREAD INDUSTRIALAPPLICATIONS: ■SMPS&UPS ■MOTORCONTROL ■WELDINGEQUIPMENT ■OUTPUTSTAGEFORPWM,ULTRASONICCIRCUITS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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