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NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z-1	文件：318.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD02N60Z-1G	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z-1G	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z-1G	文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDD02N60ZT4G	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60ZT4G	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60ZT4G	文件：1.08607 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDD02N60ZT4G	文件：1.77774 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
02N60H	文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
02N60H-H	文件：1.70195 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
02N60H-HF	文件：1.70167 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
02N60H-H-HF	文件：1.70169 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
02N60P	文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AP02N60H	文件：1.0859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP02N60H	文件：61.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP02N60H-H	文件：1.08592 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP02N60H-H	文件：252.12 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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详细参数

型号：
NDD02N60Z
功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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