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IXTA180N10T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTA180N10T

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件大小

160.56 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 20:00:00

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IXTA180N10T规格书详情

TrenchMV™ Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

特性 Features

• Ultra-low On Resistance

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• 175 °C Operating Temperature

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Applications

• Automotive

- Motor Drives

- 42V Power Bus

- ABS Systems

• DC/DC Converters and Off-line UPS

• Primary Switch for 24V and 48V Systems

• Distributed Power Architechtures and VRMs

• Electronic Valve Train Systems

• High Current Switching Applications

• High Voltage Synchronous Recifier

产品属性

  • 型号:

    IXTA180N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3416
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IXYS/艾赛斯
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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24+
TO-263-3DPak2TO-263A
160554
明嘉莱只做原装正品现货
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IXYS
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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