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IXTA180N055T中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXTA180N055T
厂商型号

IXTA180N055T

功能描述

Trench Gate Power MOSFET

文件大小

117.16 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-13 10:03:00

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IXTA180N055T规格书详情

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXTA180N055T

  • 功能描述:

    MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-263
50
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NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
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