首页>IXTA180N055T>规格书详情
IXTA180N055T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书
IXTA180N055T规格书详情
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTA180N055T
- 功能描述：
MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
84999 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
70793 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS |
25+23+ |
TO-263 |
19059 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
TO-263 |
3200 |
原装长期供货! |
询价 | |||
IXYS |
1931+ |
N/A |
308 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
