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IXTA180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	TrenchGatePowerMOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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NP180N055TUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUJ	文件：217.83 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：270.42 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：111.71 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
IXTA180N055T
功能描述：
MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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