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IXTA180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：117.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA180N055T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Gate Power MOSFET	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：117.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：117.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
NP180N055TUJ	文件：217.83 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP180N055TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 90 A) • Low Ciss: Ciss = 9500 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application and 文件：217.83 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
IXTA180N055T
功能描述：
MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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