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IXTC180N10T	文件：297.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTC180N10T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOPLUS220™；包装：盒类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH180N10T	文件：384.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：210.65 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTQ180N10T	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDBA180N10B	文件：727.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDBA180N10B	文件：345.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDPL180N10B	文件：296.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDPL180N10B	文件：1.61424 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

产品属性

产品编号：
IXTC180N10T
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
盒
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
90A（Tc）
功率耗散（最大值）：
150W（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
ISOPLUS220™
封装/外壳：
ISOPLUS220™
描述：
MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXTC180N10T	IXYS	24+	ISOPLUS220trade	100		询价
深圳市华来深电子有限公司	IXTC180N10T	IXYS	23+	TO-220	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多IXTC180N10T供应商更新时间2025-7-26 15:30:00

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