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NDD02N40 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.31 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
NDD02N40 | N-Channel Power MOSFET 文件：108.03 Kbytes 页数：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NDD02N40 | N-Channel 650V (D-S) MOSFET 文件：1.08604 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
NDD02N40 | 功率 MOSFET，400V，1.7A， 5.5Ω，单 N 沟道，DPAK 功率 MOSFET，400V，5.5Ω，单 N 沟道 • 100% Avalanche Tested\n• This Device is PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.86 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：108.03 Kbytes 页数：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：108.03 Kbytes 页数：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.28082 Mbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER |
详细参数
- 型号：
NDD02N40
- 制造商：
ON Semiconductor
- 功能描述：
NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH - Rail/Tube
- 功能描述：
NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH - Trays
- 功能描述：
MOSFET NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH
- 功能描述：
MOSFET, N CH, 400V, 1.7A, TO-251AA-3, Transistor
- Polarity：
N Channel, Continuous
- Polarity：
N Channel, Continuous Drain Current
- Id：
1.7A, Drain Source Voltage
- Vds：
400V, On Resistance
- Rds(on)：
4.5ohm, Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V, Threshold Voltage
- Vgs：
1.6V , RoHS
- Compliant：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DPAK-3 |
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原装现货假一罚十 |
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21+ |
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10085 |
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23+ |
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当天发货全新原装现货 |
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