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NDD03N80Z-1G	文件：124.16 Kbytes Page：8 Pages	N?륝hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDD03N80Z-1	文件：318.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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NDD03N80Z-1G

文件：124.16 Kbytes

Page：8 Pages

N?륝hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD03N80Z-1

文件：318.35 Kbytes

Page：2 Pages

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
NDD03N80Z-1G
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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