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NDF04N62ZG

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

NDP04N62Z

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

NDP04N62Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.0Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:372.85 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDP04N62ZG

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NDF04N62ZG

  • 功能描述:

    MOSFET NFET TO220FP 620V 2 OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NDF04N62ZG供应商 更新时间2025-10-11 11:29:00