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NDD03N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD03N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD03N60ZT4G

Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NDD03N60ZT4G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    NDD03N60ZT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多NDD03N60ZT4G供应商 更新时间2024-4-29 19:04:00