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NDD03N60ZT4G中文资料PDF规格书

NDD03N60ZT4G
厂商型号

NDD03N60ZT4G

功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.79994 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企业简称

DOINGTER杜因特

中文名称

深圳市杜因特半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    NDD03N60ZT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2020+
TO252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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TO-252
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ON(安森美)
23+
标准封装
8000
原装,可配单
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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