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NDF04N60ZH	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm 文件：140.17 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDF04N60ZH	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：144.32 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDF04N60ZH	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SGB04N60	文件：391 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：391 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKB04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKP04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

漏源电压（Vdss）：
600V
栅源极阈值电压（最大值）：
4.5V @ 50uA
漏源导通电阻（最大值）：
2 Ω @ 2A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
30W（Tc）

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