NDF04N60ZH规格书市场行情安森美半导体-114ic电子网

首页 >NDF04N60ZH>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NDF04N60ZH	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm 文件：140.17 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDF04N60ZH	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：144.32 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDF04N60ZH	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDP04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts 文件：156.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDP04N60Z	文件：372.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.0Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDP04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts 文件：156.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多NDF04N60ZH供应商更新时间2025-12-23 16:36:00