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NDF04N60ZH	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF04N60ZH	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
04N60	文件：1.94923 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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04N60I	文件：62.82 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AIHD04N60RF	文件：1.73059 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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AP04N60H-HF	文件：1.92677 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP04N60H-H-HF	文件：890.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP04N60H-H-HF	文件：1.07703 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
NDF04N60ZH
功能描述：
MOSFET NFET 600V 4A 1.8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NDF04N60ZH供应商更新时间2024-4-29 16:37:00

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