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SGB04N60	文件：391 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：391 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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SGD04N60	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.07623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
SGB04N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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