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SGB15N60HS	文件：326.01 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - 文件：326.01 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB15N60HS	文件：820.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 文件：820.88 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB15N60HS_06	文件：820.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 文件：820.88 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB15N60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SGB15N60HSATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 27A 138W TO263-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Switching Frequency min max：
30.0kHz 100.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
15.0A
IC(@25°) max：
27.0A
ICpuls max：
60.0A
Ptot max：
138.0W
VCE(sat) ：
3.5V
Eon ：
0.5mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.3mJ
td(on) ：
12.0ns
tr ：
17.0ns
td(off) ：
235.0ns
tf ：
15.0ns
QGate ：
80.0nC
VCE max：
600.0V
Switching Frequency ：
HighSpeed 30-100 kHz

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