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SGB10N60A

Fast IGBT in NPT-technology

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SGB10N60A

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SGB10N60A_07

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SGB10N60AATMA1

包装:管件 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 20A 92W TO263-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

10N60

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

10N60

10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

10N60

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

10N60

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

10N60

N-ChannelPowerMOSFET

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

10N60

10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

10N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

10N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

10N60

10A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

10N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

10N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

10N60A

10A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    SGB10N60A

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
21048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-263
16953
原装进口假一罚十
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO263-3
6800
只做原装正品现货
询价
INENOI
20+
SOT263
100
全新原装,价格优势
询价
英飞翎
17+
D2PAK(TO-263)
31518
原装正品 可含税交易
询价
INFINEON
08+(pbfree)
P-TO263-3-2
8866
询价
INFINEON
11+
TO-263
11700
只有原装!只做原装!一片起卖!
询价
INF
2017+
TO-263-2
25899
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
询价
Infineon
23+
SMD
23923
全新原装现货,专业代理热卖
询价
inf
dc10
原厂封装
1000
INSTOCK:1000/tr/dpak
询价
更多SGB10N60A供应商 更新时间2024-5-1 9:38:00