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SGB20N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology Fast S-IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distributio 文件:275.85 Kbytes 页数:12 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
SGB20N60 | Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation 文件:795.82 Kbytes 页数:11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
SGB20N60 | Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation 文件:795.82 Kbytes 页数:11 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
详细参数
- 型号:
SGB20N60
- 功能描述:
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
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原装正品 可含税交易 |
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INFINEON |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
7000 |
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