SGB20N60数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
SGB20N60
- 功能描述:
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
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INFINEON/英飞凌 |
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TOS |
23+ |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
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INFINEON |
25+ |
PG-TO263- |
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