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NDF08N60ZG

N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

AP08N60I-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

CJP08N60

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

CJP08N60

N-ChannelPowerMOSFET

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJPF08N60

Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJPF08N60

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

FTA08N60C

N-ChannelEnhancement

InPowerProductLines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

M08N60P

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

MCPF08N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

NDF08N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    NDF08N60ZG

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 0.95 OHM TO- 220FP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NDF08N60ZG供应商 更新时间2025-5-22 13:40:00