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STE180N10

N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 5.5 mΩ ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCE ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED VOLTAGE SPREAD INDUSTRIAL APPLICATIONS: ■ SMPS & UPS ■ MOTOR CONTROL ■ WELDING EQUIPMENT ■ OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONIC CIRCUITS

文件:85.1 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STE180N10

N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET

ST

意法半导体

180N10B

N-Channel Power MOSFET

文件:595.58 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

180N10N

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

文件:299.61 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

FIR180N10PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:3.98832 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

详细参数

  • 型号:

    STE180N10

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
19+
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主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
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更多STE180N10供应商 更新时间2025-10-12 17:06:00