STE180NE10规格书应用电路行情报价-114ic电子网

首页 >STE180NE10>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
STE180NE10	文件：562.26 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application 文件：562.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STE180NE10	文件：89.24 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：89.24 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STE180NE10	文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STE180NE10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 100V - 4.5mΩ - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET	ST 意法半导体	ST
STE180NE10_07	文件：247.38 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 100V - 4.5m廓 - 180A - ISOTOP STripFET??Power MOSFET 文件：247.38 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

更多STE180NE10供应商更新时间2025-12-9 13:30:00