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STE40NC60	文件：270.59 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.098ohm - 40A ISOTOP PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60KD	文件：846.42 Kbytes Page：13 Pages	600V,40Ashort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60V	文件：279.63 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL50A-600V-TO-247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60WD	文件：283.52 Kbytes Page：14 Pages	N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■LowCRES/CIESratio(nocrossconductionsusceptibility) ■IGBTco-packagedwithultrafastfree-wheelingdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GY40NC60VD	文件：290.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW40NC60V	文件：279.63 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL50A-600V-TO-247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60V	文件：319.43 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL50A-600VTO-247HyperFastPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“V”identifiesafamilyoptimizedforhigh frequency. ■HIGHCURRENTCAPABI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60W	文件：338.09 Kbytes Page：13 Pages	40A-600V-ultrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60WD	文件：377.09 Kbytes Page：14 Pages	40A-600V-ultrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60WD	文件：283.52 Kbytes Page：14 Pages	N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■LowCRES/CIESratio(nocrossconductionsusceptibility) ■IGBTco-packagedwithultrafastfree-wheelingdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60V	文件：303.19 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL50A-600V-Max247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60VD	文件：303.19 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL50A-600V-Max247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60VD	文件：290.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STE40NC60
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 40 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	STE40NC60	ST/意法半导体	22+	ISOTOP-4	6002	原装正品现货可开增值税发票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STE40NC60	ST(意法半导体)	23+	SOT-227	7800	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市博浩通科技有限公司	STE40NC60	STMicroelectronics	23+	MOSFETN-CH600V40AISOTOP	2022	专业代理销售半导体模块,能提供更多数量	询价
深圳市弘为电子有限公司	STE40NC60	ST	16+	ISOTOP	321	原装现货假一罚十	询价
深圳市达恩科技有限公司	STE40NC60	STMicroelectronics	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳中芯器材有限公司	STE40NC60	STM	RoHSCompliant	Others	50	neworiginal	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	STE40NC60	ST	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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更多STE40NC60供应商更新时间2024-4-28 18:05:00

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