STE40NC60中文资料N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET数据手册ST规格书
STE40NC60规格书详情
描述 Description
The PowerMESH™ II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.
特性 Features
• TYPICAL RDS(on) = 0.098 Ω
• 100% AVALANCHE TESTED
• EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
• GATE CHARGE MINIMIZED
• NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
技术参数
- 制造商编号
：STE40NC60
- 生产厂家
：ST
- Package
：ISOTOP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.13
- Drain Current (Dc)_max(A)
：40
- PTOT_max(W)
：460
- Qg_typ(nC)
：307.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
ISOTOP-4 |
6000 |
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ST/意法半导体 |
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ISOTOP-4 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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MODULE |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
ISOTOP-4 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
