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NDD03N40Z	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD03N40Z	文件：128.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：128.43 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD03N40Z-1	文件：317.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD03N40Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK Power MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK 100% Avalanche Tested\nExtremely High dv/dt Capability\nGate Charge Minimized\nVery Low Intrinsic Capacitance\nImproved Diode Reverse Recovery Characteristics\nZener−protected\nThese Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
Condition
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
Condition
ID Max (A)：
2.1
PD Max (W)：
237
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
Package Type：
IPAK-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	NDD03N40Z	ON/安森美	2022+	TO-252	7500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多NDD03N40Z供应商更新时间2025-12-7 14:02:00

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