isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel 650V (D-S) MOSFET

文件：1.08604 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

文件：136.15 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 ohm

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ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，600V，1.5A，8.5Ω，单 N 沟道，DPAK

功率 MOSFET，600V，8.5Ω，单 N 沟道 • 100% Avalanche Tested\n• This Device is PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 ohm

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

文件：136.15 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件：1.08223 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特