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NDD01N60T4G中文资料PDF规格书

NDD01N60T4G
厂商型号

NDD01N60T4G

功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.39517 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企业简称

DOINGTER杜因特

中文名称

深圳市杜因特半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 18:06:00

产品属性

  • 型号:

    NDD01N60T4G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-252-3, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V, On Resistance

  • Rds(on):

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    3.3V, No. of

  • Pins:

    3 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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