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NDD01N60-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NDD01N60-1G

功能描述

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

文件大小

136.15 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-11-2 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    NDD01N60-1G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V, On Resistance

  • Rds(on):

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    3.3V, No. of

  • Pins:

    3 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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