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NDD01N60-1G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

文件:136.15 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD01N60-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.08223 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD01N60-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.42 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDS0610

SOT23

FAIRCHILD仙童

上传:深圳市乐创天科技有限公司

FAIRCHILD仙童

NDS331N

SOT23

ON

详细参数

  • 型号:

    NDD01N60-1G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V, On Resistance

  • Rds(on):

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    3.3V, No. of

  • Pins:

    3 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NDD01N60-1G供应商 更新时间2025-12-9 11:13:00