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NDD01N60-1G	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDD01N60-1G	文件：1.08223 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NDD01N60-1	文件：317.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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NDD01N60-1G

文件：136.15 Kbytes

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N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD01N60-1G

文件：1.08223 Mbytes

Page：9 Pages

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
NDD01N60-1G
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays
功能描述：
NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O
功能描述：
MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor
Polarity：
N Channel, Continuous Dr
Polarity：
N Channel, Continuous Drain Current
Id：
1.5A, Drain Source Voltage
Vds：
600V, On Resistance
Rds(on)：
8ohm, Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V, Threshold Voltage
Vgs：
3.3V, No. of
Pins：
3 , RoHS
Compliant：
Yes

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