Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS

The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This high voltage MOSFET uses an advanced termination s

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Motorola

摩托罗拉